具氮化矽薄膜（in situ SiNx）高功率氮化鎵磊晶片
null辦理「具氮化矽薄膜（in situ SiNx）高功率氮化鎵磊晶片」已於 2022/08/16 決標，決標金額 1,100,000 元（約 110 萬），得標廠商為聯鈞光電股份有限公司竹科分公司。
決標結果
| 公告類型 | 決標公告 |
|---|---|
| 公告日期 | 2022/08/17 |
| 決標日期 | 2022/08/16 |
| 招標機關 | |
| 標案編號 | G111062 |
| 預算金額 | — |
| 底價金額 | 1,100,000 元 |
| 總決標金額 | 1,100,000 元（約 110 萬） |
| 投標家數 | 1 家（僅一家投標） |
投標廠商
| 廠商 | 結果 | 決標金額 |
|---|---|---|
| 聯鈞光電股份有限公司竹科分公司公司資料↗ | 得標 | 1,100,000 元 |
標案歷程（本案各階段公告）
- 2022/07/29 公開招標公告
- 2022/08/10 無法決標公告
- 2022/08/10 公開招標公告
- 2022/08/17 決標公告 1,100,000 元
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